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技术文档
型号
BSM25GB100D
品牌
Siemens
utmel 编号
2239-BSM25GB100D
商品类别
集成电路(IC)
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel
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BSM25GB100D详情
技术参数
Siemens BSM25GB100D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
7
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Risk Rank
5.27
Number of Elements
2
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Turn-on Time-Max (ton)
40 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
30 ns
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PUFM-X7
资历状况
不合格
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
225 W
集电极电流-最大值(IC)
25 A
集电极-发射器电压-最大值
1000 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
3.3 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.2 V
环境耗散-最大值
300 W
BSM25GB100D拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:JAN1N752A
封装:--
品牌:Siemens
库存:0
型号:M39003/01-2999
型号:8WH9020-6EC10
型号:8WH9020-6BC10
型号:8WH9020-6CC10
型号:E108
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