BSM25GB100D
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Siemens BSM25GB100D

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型号

BSM25GB100D

品牌

Siemens

utmel 编号

2239-BSM25GB100D

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel

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BSM25GB100D
BSM25GB100D Siemens Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel

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BSM25GB100D详情

Siemens BSM25GB100D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    7

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    BSM25GB100D

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    西门子 A G

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7

  • Risk Rank

    5.27

  • Number of Elements

    2

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Turn-on Time-Max (ton)

    40 ns

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    30 ns

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PUFM-X7

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大耗散功率(Abs)

    225 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    25 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1000 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    3.3 V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    6.2 V

  • 环境耗散-最大值

    300 W

0个相似型号

BSM25GB100D拓展信息

K9362M
K9362M

Siemens

3SK212
3SK212

Siemens

3RP1525-1BR30
48AV3500-P
48AV3500-P

Siemens

B120H
B120H

Siemens

5SY6406-7
5SY6406-7

Siemens

5SY6403-7
5SY6403-7

Siemens

5SY6140-6
5SY6140-6

Siemens

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