注：图像仅供参考，请参阅产品规格
技术文档
型号
BSM300GA100D
品牌
Siemens
utmel 编号
2239-BSM300GA100D
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel
起订量
1最小包装量--
请发送询价，我们将立即回复。
BSM300GA100D详情
技术参数
Siemens BSM300GA100D重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
表面安装
NO
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
15 V
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
220 ns
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
Turn-on Time-Max (ton)
270 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Risk Rank
5.26
容差
0.5 %
温度系数
100 ppm/°C
电阻
604 Ω
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Thin Film
子类别
绝缘栅BIP晶体管
额定功率
30 mW
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
JESD-30代码
R-PUFM-X4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
300 A
集电极-发射器电压-最大值
1000 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
3.3 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.2 V
环境耗散-最大值
2500 W
高度
260 µm
达到SVHC
unknown
BSM300GA100D拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)
我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
购物车
询价列表
对比列表
微信咨询
QQ咨询
公众号
建议反馈
哦! 它是空的。
在线咨询
