登录 / 注册

产品

输入型号/关键词

BUZ104

BUZ104

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF列表

PDF文档列表

免费送样

Siemens BUZ104

收藏
对比

型号

BUZ104

品牌

utmel 编号

2239-BUZ104

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,...

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

BUZ104

BUZ104 Siemens Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,...

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

*

验证码

BUZ104详情

技术参数

Siemens BUZ104重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
RoHS

Non-Compliant
Package Style

FLANGE MOUNT
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max

175 °C
Rohs Code

无
Manufacturer Part Number

BUZ104
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Infineon Technologies AG
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank

5.3
Drain Current-Max (ID)

17.5 A
JESD-609代码

e0
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能

雪崩额定
子类别

FET 通用电源
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)

17.5 A
漏极-源极导通最大电阻

0.1 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

70 A
DS 击穿电压-最小值

50 V
雪崩能量等级（Eas）

35 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

60 W

0个相似型号

BUZ104拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z