Siemens BUZ10L

安装类型

通孔

包装/外壳

Radial

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Lead Free Status / RoHS Status

--

Voltage Rated

16V

Lifetime @ Temp.

1000 Hrs @ 85°C

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

BUZ10L

Turn-on Time-Max (ton)

160 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Siemens

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

西门子 A G

Turn-off Time-Max (toff)

255 ns

Risk Rank

5.71

Drain Current-Max (ID)

23 A

操作温度

-55°C ~ 85°C

系列

TANTALEX®, 199D

包装

Tape & Reel (TR)

尺寸/尺寸

0.217 Dia (5.50mm)

容差

±10%

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

类型

共形涂层

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

逻辑电平兼容

电容量

10µF

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

ESR（等效串联电阻）

--

失败率

--

引线间距

0.125 (3.18mm)

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

制造商的尺寸代码

C

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

23 A

漏极-源极导通最大电阻

0.07 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

92 A

DS 击穿电压-最小值

50 V

雪崩能量等级（Eas）

8 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

75 W

反馈上限-最大值 (Crss)

170 pF

环境耗散-最大值

75 W

特征

通用型

座位高度(最大)

--

评级结果

--