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技术文档
型号
BUZ172
品牌
Siemens
utmel 编号
2239-BUZ172
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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BUZ172详情
技术参数
Siemens BUZ172重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Turn-on Time-Max (ton)
125 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Turn-off Time-Max (toff)
165 ns
Risk Rank
8.13
Part Package Code
SFM
Drain Current-Max (ID)
5 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.6 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
22 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
170 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
40 W
反馈上限-最大值 (Crss)
140 pF
环境耗散-最大值
BUZ172拓展信息
公司资质
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