BUZ357
BUZ357

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Siemens BUZ357

  • 收藏
  • 对比

型号

BUZ357

品牌

Siemens

utmel 编号

2239-BUZ357

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AA

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
BUZ357
BUZ357 Siemens Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AA

请发送询价,我们将立即回复。

库存:166

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

BUZ357详情

Siemens BUZ357重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    Surface Mount, 25° Angle

  • 表面安装

    NO

  • 越来越多的功能

    Reverse

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Lead Free Status / RoHS Status

    --

  • Memory Types

    DDR3 SDRAM

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BUZ357

  • Turn-on Time-Max (ton)

    205 ns

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Siemens

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    西门子 A G

  • Turn-off Time-Max (toff)

    690 ns

  • Risk Rank

    8.13

  • Part Package Code

    TO-218

  • Drain Current-Max (ID)

    5 A

  • 系列

    --

  • 包装

    Tray

  • JESD-609代码

    e0

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    --

  • 定位的数量

    204

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • 触点表面处理

    Gold

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 连接器样式

    SODIMM

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-218

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    5 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    2 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    20 A

  • DS 击穿电压-最小值

    1000 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    850 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    125 W

  • 标准

    --

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    40 pF

  • 环境耗散-最大值

    125 W

  • 特征

    Board Guide, Latches

  • 触点表面处理厚度

    10.0µin (0.25µm)

0个相似型号

BUZ357拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS