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技术文档
型号
BUZ357
品牌
Siemens
utmel 编号
2239-BUZ357
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AA
起订量
--最小包装量--
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BUZ357详情
技术参数
Siemens BUZ357重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
Surface Mount, 25° Angle
表面安装
NO
越来越多的功能
Reverse
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Lead Free Status / RoHS Status
Memory Types
DDR3 SDRAM
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Turn-on Time-Max (ton)
205 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Turn-off Time-Max (toff)
690 ns
Risk Rank
8.13
Part Package Code
TO-218
Drain Current-Max (ID)
5 A
系列
包装
Tray
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
定位的数量
204
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
触点表面处理
Gold
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
连接器样式
SODIMM
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
2 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20 A
DS 击穿电压-最小值
1000 V
雪崩能量等级(Eas)
850 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
125 W
标准
反馈上限-最大值 (Crss)
40 pF
环境耗散-最大值
特征
Board Guide, Latches
触点表面处理厚度
10.0µin (0.25µm)
BUZ357拓展信息
公司资质
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