SIEMENS A G BCR583

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

ECCN 代码

EAR99

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

HTS代码

8541.21.00.75

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

转换频率

150MHz

集电极电流-最大值(IC)

0.5A

最小直流增益（hFE）

70

集电极-发射器电压-最大值

50V

VCEsat-最大值

0.3 V

环境耗散-最大值

0.33W