SIEMENS A G BTS244Z

表面安装

NO

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

引脚数量

5

JESD-30代码

R-PSFM-T5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR

操作模式

增强型MOSFET

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

35A

漏极-源极导通最大电阻

0.018Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

188A

DS 击穿电压-最小值

55V

雪崩能量等级（Eas）

1650 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR