SIEMENS A G BUZ338

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-218

最大漏极电流 (Abs) (ID)

13.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.4Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

54A

DS 击穿电压-最小值

500V

雪崩能量等级（Eas）

920 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

180W

反馈上限-最大值 (Crss)

180 pF

关断时间-最大值（toff)

760ns

接通时间-最大值(ton)

210ns

环境耗散-最大值

170W

RoHS状态

Non-RoHS Compliant