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SiTime SIT3372AC-2B9-28NE200.000000T

Name: SIT3372AC-2B9-28NE200.000000T
Brand: SiTime
SKU: 2285-SIT3372AC-2B9-28NE200.000000T
Availability: InStock
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型号

SIT3372AC-2B9-28NE200.000000T

品牌

SiTime

utmel 编号

2285-SIT3372AC-2B9-28NE200.000000T

商品类别

无类别的

封装

TO-247-4

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Ultra-low Jitter Differential VCXO 200MHz 2.8V 35ppm 6-Pin Surface Mount T/R

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SIT3372AC-2B9-28NE200.000000T SiTime Ultra-low Jitter Differential VCXO 200MHz 2.8V 35ppm 6-Pin Surface Mount T/R

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SIT3372AC-2B9-28NE200.000000T详情

技术参数

SiTime SIT3372AC-2B9-28NE200.000000T重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

TO-247-4
安装类型

通孔
供应商器件包装

TO-247-4L
Power Dissipation (Max)

520W (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

72A (Tc)
系列

C2M™
操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)
零件状态

活跃
技术

SiCFET (Silicon Carbide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

59 mOhm @ 50A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 18mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3672pF @ 1000V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

188nC @ 20V
漏源电压 (Vdss)

1700V
Vgs（最大值）

+25V, -10V
场效应管特性

--

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