SiTime SIT3372AC-2B9-28NE200.000000T

包装/外壳

TO-247-4

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-247-4L

Power Dissipation (Max)

520W (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

72A (Tc)

系列

C2M™

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

零件状态

活跃

技术

SiCFET (Silicon Carbide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

59 mOhm @ 50A, 20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 18mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3672pF @ 1000V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

188nC @ 20V

漏源电压 (Vdss)

1700V

Vgs（最大值）

+25V, -10V

场效应管特性

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