SiTime SIT3372AC-4E2-28NZ200.000000T

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

供应商器件包装

TO-247-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Power Dissipation (Max)

54W (Tc)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

C3M™

包装

Tube

零件状态

活跃

技术

SiCFET (Silicon Carbide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

360 mOhm @ 7.5A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 1.2mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

150pF @ 600V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.5nC @ 15V

漏源电压 (Vdss)

900V

Vgs（最大值）

+18V, -8V

场效应管特性

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