SMC Corporation ARP30K-N03-3YZ

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric L6

供应商器件包装

DIRECTFET L6

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

31A (Ta), 156A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

International Rectifier

Package

Bulk

Power Dissipation (Max)

3.3W (Ta), 83W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

HEXFET®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.9mOhm @ 94A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 150µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5469 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

134 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

40 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-