CXK79M36C164GB-28详情
Sony CXK79M36C164GB-28重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
材料
Metal
终端数量
209
Surface protection
Nickel-plated
For Ex-Zone dust
None
Explosion-tested version
无
Thread type
Metric
Material quality
Brass
For Ex-zone gas
None
Shock resistant
有
Package Description
BGA, BGA209,11X19,40
Package Style
网格排列
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA209,11X19,40
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
1.7 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CXK79M36C164GB-28
Clock Frequency-Max (fCLK)
350 MHz
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
BGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
索尼半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SONY CORP
Risk Rank
5.49
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
锡铅
附加功能
PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1 mm
引脚数量
209
JESD-30代码
R-PBGA-B209
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
电源
1.5/1.8,1.8 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.69 mA
组织结构
512KX36
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
2.3 mm
内存宽度
36
待机电流-最大值
0.325 A
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
1.7 V
宽度
14 mm
长度
22 mm
达到SVHC
unknown
CXK79M36C164GB-28拓展信息








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