CXK79M36C164GB-28
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Sony CXK79M36C164GB-28

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型号

CXK79M36C164GB-28

品牌

Sony

utmel 编号

3038-CXK79M36C164GB-28

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

CXK79M36C164GB-28 datasheet pdf and Unclassified product details from Sony stock available at utmel

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CXK79M36C164GB-28详情

Sony CXK79M36C164GB-28重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 材料

    Metal

  • 终端数量

    209

  • Surface protection

    Nickel-plated

  • For Ex-Zone dust

    None

  • Explosion-tested version

    无

  • Thread type

    Metric

  • Material quality

    Brass

  • For Ex-zone gas

    None

  • Shock resistant

    有

  • Package Description

    BGA, BGA209,11X19,40

  • Package Style

    网格排列

  • Moisture Sensitivity Levels

    3

  • Number of Words Code

    512000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    BGA209,11X19,40

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Access Time-Max

    1.7 ns

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Rohs Code

    无

  • Manufacturer Part Number

    CXK79M36C164GB-28

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    350 MHz

  • Number of Words

    524288 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Package Code

    BGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    索尼半导体

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    SONY CORP

  • Risk Rank

    5.49

  • Part Package Code

    BGA

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    无

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.A

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 附加功能

    PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 子类别

    SRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    225

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1 mm

  • 引脚数量

    209

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B209

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.95 V

  • 电源

    1.5/1.8,1.8 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.69 mA

  • 组织结构

    512KX36

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    2.3 mm

  • 内存宽度

    36

  • 待机电流-最大值

    0.325 A

  • 记忆密度

    18874368 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    标准SRAM

  • 待机电压-最小值

    1.7 V

  • 宽度

    14 mm

  • 长度

    22 mm

  • 达到SVHC

    unknown

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CXK79M36C164GB-28拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS