Sony Semiconductor CXK77P18E160GB-44E
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CXK77P18E160GB-44E
2436-CXK77P18E160GB-44E
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Standard SRAM, 1MX18, 4.7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
1最小包装量--
CXK77P18E160GB-44E详情
Sony Semiconductor CXK77P18E160GB-44E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
119
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SONY CORP
Part Package Code
BGA
Package Description
BGA, BGA119,7X17,50
Access Time-Max
4.7 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
227 MHz
Number of Words
1048576 words
Number of Words Code
1000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
BGA
Package Equivalence Code
BGA119,7X17,50
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
网格排列
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
119
JESD-30代码
R-PBGA-B119
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.47 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
3.13 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.75 mA
组织结构
1MX18
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
2.5 mm
内存宽度
18
待机电流-最大值
0.25 A
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
3.14 V
长度
22 mm
宽度
14 mm
CXK77P18E160GB-44E拓展信息
Pyramid Semiconductor Corporation
Elite Semiconductor Memory Technology Inc
Catalyst Semiconductor
Catalyst Semiconductor
Catalyst Semiconductor
Elite Semiconductor Memory Technology Inc
Catalyst Semiconductor
Xi'an UniIC Semiconductors Co Ltd
Sony Semiconductor
Catalyst Semiconductor








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