注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
M11B11664A-30T
品牌
Standex
utmel 编号
2360-M11B11664A-30T
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
M11B11664A-30T datasheet pdf and Unclassified product details from Standex stock available at utmel
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
M11B11664A-30T详情
技术参数
Standex M11B11664A-30T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
40
Package Description
TSOP2, TSOP40/44,.46,32
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
64000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSOP40/44,.46,32
Access Time-Max
30 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Manufacturer Part Number
Number of Words
65536 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
TSOP2
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Elite Semiconductor Memory Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.84
附加功能
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G40
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.15 mA
组织结构
64KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.002 A
记忆密度
1048576 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
EDO DRAM
刷新周期
256
访问模式
EDO PAGE
宽度
10.16 mm
长度
18.41 mm
M11B11664A-30T拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)