STMicroelectronics 014T

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IRFL9014TRPBF

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY SILICONIX

Part Package Code

TO-261AA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Risk Rank

0.69

Samacsys Description

IRFL9014TRPBF, P-channel MOSFET Transistor 1.8 A 60 V, 4-Pin SOT-223

Drain Current-Max (ID)

1.8 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

40

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-261AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.8 A

漏极-源极导通最大电阻

0.5 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

14 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

140 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

3.1 W