STMicroelectronics BUV28

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package Description

,

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

BUV28

Manufacturer

Philips Semiconductors

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

飞利浦半导体

Risk Rank

5.59

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

85 W

Reach合规守则

unknown

极性

NPN

配置

Single

元素配置

Single

功率耗散

85 W

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

200 V

最大集电极电流

10 A

集电极基极电压(VCBO)

400 V

最大耗散功率(Abs)

65 W

发射极基极电压 (VEBO)

7 V

集电极电流-最大值(IC)

10 A

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

长度

10.4 mm