STMicroelectronics E-ULN2001A
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E-ULN2001A
2381-E-ULN2001A
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
16-DIP (0.300, 7.62mm)
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TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
--最小包装量--
E-ULN2001A详情
STMicroelectronics E-ULN2001A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
16-DIP (0.300, 7.62mm)
引脚数
16
供应商器件包装
16-DIP
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.1V
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
Number of Elements
7
hFEMin
1000
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-20°C
电压 - 额定直流
50V
额定电流
500mA
基本部件号
ULN2001
极性
NPN
晶体管类型
7 NPN Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
1000 @ 350mA 2V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.6V @ 500μA, 350mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
连续集电极电流
500mA
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
E-ULN2001A拓展信息
STMicroelectronics
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