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技术文档
型号
L6386ED013TR
品牌
STMicroelectronics
utmel 编号
2381-L6386ED013TR
商品类别
PMIC - 栅极驱动器
封装
14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IC DRIVER HI/LO SIDE HV 14-SOIC
起订量
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L6386ED013TR详情
技术参数
PDF文档
型号对比
STMicroelectronics L6386ED013TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
包装/外壳
引脚数
14
Driver Configuration
Half-Bridge
Logic voltage-VIL, VIH
1.5V 3.6V
Turn Off Delay Time
150 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
最大功率耗散
750mW
电压 - 供电
17V Max
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
15V
频率
400kHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
L6386
引脚数量
输出的数量
2
输出电压
580V
最大输出电流
650mA
工作电源电压
电源电流
320μA
功率耗散
输出电流
传播延迟
输入类型
Inverting
接通延迟时间
150 ps
上升时间
50ns
下降时间(典型值)
30 ns
上升/下降时间(Typ)
50ns 30ns
信道型
Independent
接通时间
0.15 µs
输出峰值电流限制-名
0.65A
闸门类型
IGBT, N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
400mA 650mA
高边驱动器
YES
关断时间
高压侧电压-最大值(自举)
600V
高度
1.65mm
长度
8.75mm
宽度
4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
技术文档: STMicroelectronics L6386ED013TR.
右边的3个型号有着和STMicroelectronics & L6386ED013TR相似的参数规格。
650 mA
50 ns
15 V
750 mW
Microchip Technology
16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
-
ON Semiconductor
2.5 A
40 ns
1 W
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公司资质
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型号:L6384ED013TR
封装:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
品牌:STMicroelectronics
库存:57500
型号:L6387ED
库存:8803
型号:L6388ED013TR
库存:27500
型号:L6386ED
封装:14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
库存:3303
型号:L6398DTR
库存:3500
型号:L6388ED
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