注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
LF253DT
品牌
STMicroelectronics
utmel 编号
2381-LF253DT
商品类别
线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
封装
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IC OPAMP JFET 4MHZ 8SO
起订量
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LF253DT详情
技术参数
PDF文档
型号对比
STMicroelectronics LF253DT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
包装/外壳
引脚数
8
Number of Elements
2
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-40°C~105°C
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
包装方式
TAPE AND REEL
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
电源电压
15V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
LF253
引脚数量
电源
+-15V
工作电源电流
1.4mA
电源电流
3.2mA
功率耗散
680mW
压摆率
16V/μs
建筑学
VOLTAGE-FEEDBACK
放大器类型
J-FET
共模拒绝率
70 dB
输入偏正电流
20pA
电压 - 电源,单/双路(±)
±3V~16V
每个通道的输出电流
40mA
输入失调电压(Vos)
10mV
负电源电压(Vsup)
-15V
统一增益 BW-(标准值)
4000 kHz
电压增益
106.02dB
低偏移
NO
频率补偿
YES
电压 - 输入断态
3mV
低偏压
输入失调电流-最大值(IIO)
0.004μA
长度
4.9mm
座位高度(最大)
1.75mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
无铅
技术文档: STMicroelectronics LF253DT.
右边的3个型号有着和STMicroelectronics & LF253DT相似的参数规格。
10 mV
15 V
1.4 mA
106.02 dB
80 dB
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LF253DT拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:TS941ID
封装:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
品牌:STMicroelectronics
库存:2000
型号:LM258DT
库存:2185000
型号:TL072IDT
库存:80000
型号:TL072CDT
库存:200000
型号:LM2902DT
封装:14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
库存:95000
型号:MC33079DT
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