M25P64-VME6G
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STMicroelectronics M25P64-VME6G

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型号

M25P64-VME6G

utmel 编号

2381-M25P64-VME6G

商品类别

连接器,连接线

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

8MX8 FLASH 2.7V PROM, DSO8, 8 X 6 MM, ROHS COMPLIANT, MLP-8

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M25P64-VME6G
M25P64-VME6G STMicroelectronics 8MX8 FLASH 2.7V PROM, DSO8, 8 X 6 MM, ROHS COMPLIANT, MLP-8

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M25P64-VME6G详情

STMicroelectronics M25P64-VME6G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    8

  • 终端数量

    8

  • RoHS

    Compliant

  • Memory Types

    NOR

  • Package Description

    HVSON, SOLCC8,.3

  • Package Style

    SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE

  • Number of Words Code

    8000000

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Equivalence Code

    SOLCC8,.3

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    M25P64-VME6G

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    50 MHz

  • Number of Words

    8388608 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    3 V

  • Package Code

    HVSON

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Numonyx内存解决方案

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    NUMONYX

  • Risk Rank

    5.4

  • Part Package Code

    DFP

  • 包装

    Bulk

  • ECCN 代码

    3A991.B.1.A

  • 类型

    NOR型号

  • 最高工作温度

    85 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • HTS代码

    8542.32.00.51

  • 子类别

    闪存

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 频率

    50 MHz

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-XDSO-N8

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6 V

  • 电源

    3/3.3 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.7 V

  • 界面

    SPI

  • 最大电源电压

    3.6 V

  • 最小电源电压

    2.7 V

  • 内存大小

    8 MB

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.02 mA

  • 数据总线宽度

    8 b

  • 组织结构

    8MX8

  • 座位高度-最大

    1 mm

  • 内存宽度

    8

  • 待机电流-最大值

    0.0001 A

  • 记忆密度

    67108864 bit

  • 最高频率

    50 MHz

  • 并行/串行

    SERIAL

  • 内存IC类型

    FLASH

  • 编程电压

    2.7 V

  • 串行总线类型

    SPI

  • 耐力

    100000 Write/Erase Cycles

  • 写入周期时间 - 最大值

    15 ms

  • 数据保持时间

    20

  • 写入保护

    HARDWARE/SOFTWARE

  • 宽度

    6 mm

  • 长度

    8 mm

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: STMicroelectronics M25P64-VME6G.

M25P64-VME6G拓展信息

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