STMicroelectronics M29F200BB70M6
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M29F200BB70M6
2381-M29F200BB70M6
连接器,连接线
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128KX16 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44
--最小包装量--
M29F200BB70M6详情
STMicroelectronics M29F200BB70M6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
44
RoHS
Non-Compliant
Memory Types
FLASH, NOR
Package Description
0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44
Package Style
小概要
Number of Words Code
128000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
SOP44,.63
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
M29F200BB70M6
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
SOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
STMicroelectronics
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Risk Rank
5.12
Part Package Code
SOIC
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
NOR型号
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
底部启动区块
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
44
JESD-30代码
R-PDSO-G44
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
界面
Parallel
最大电源电压
5.5 V
最小电源电压
4.5 V
内存大小
256 kB
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.02 mA
访问时间
70 ns
数据总线宽度
16 b
组织结构
128KX16
座位高度-最大
3 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.0001 A
记忆密度
2097152 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
5 V
耐力
100000 Write/Erase Cycles
备用内存宽度
8
数据轮询
YES
拨动位
YES
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
1,2,1,3
行业规模
16K,8K,32K,64K
准备就绪/忙碌
YES
引导模块
BOTTOM
宽度
12.6 mm
长度
28.5 mm
M29F200BB70M6拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
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