STMicroelectronics M29W400BB55N1
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M29W400BB55N1
2381-M29W400BB55N1
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256KX16 FLASH 3V PROM, 55ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
1最小包装量--
M29W400BB55N1详情
STMicroelectronics M29W400BB55N1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
48
RoHS
Compliant
Memory Types
NOR
Package Description
12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
256000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Access Time-Max
55 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
M29W400BB55N1
Number of Words
262144 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
TSOP1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Numonyx内存解决方案
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NUMONYX
Risk Rank
5.69
Part Package Code
TSOP
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
类型
NOR型号
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
70 °C
最小工作温度
0 °C
附加功能
底部启动区块
HTS代码
8542.32.00.51
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PDSO-G48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
界面
Parallel
最大电源电压
3.6 V
最小电源电压
3 V
内存大小
512 kB
负载电容
30 pF
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
55 ns
数据总线宽度
16 b
组织结构
256KX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
记忆密度
4194304 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
备用内存宽度
8
引导模块
BOTTOM
宽度
12 mm
长度
18.4 mm
M29W400BB55N1拓展信息
STMicroelectronics
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