STMicroelectronics M36DR432A120ZA6T
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M36DR432A120ZA6T
2381-M36DR432A120ZA6T
连接器,连接线
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SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
1最小包装量--
M36DR432A120ZA6T详情
STMicroelectronics M36DR432A120ZA6T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
66
终端数量
66
RoHS
Non-Compliant
Package Description
0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
2000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA66,8X12,32
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
120 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
M36DR432A120ZA6T
Number of Words
2097152 words
Package Code
LFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
STMicroelectronics
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Risk Rank
5.06
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
附加功能
THE DEVICE ALSO CONTAINS A 4 MBIT (256K X16) SRAM
HTS代码
8542.32.00.71
子类别
其他存储器集成电路
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
66
JESD-30代码
R-PBGA-B66
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.2 V
电源
1.8/2 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.65 V
界面
Parallel
内存大小
4 MB
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.04 mA
访问时间
120 ns
组织结构
2MX16
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
16
记忆密度
33554432 bit
内存IC类型
存储器电路
混合内存类型
FLASH+SRAM
宽度
8 mm
长度
12 mm
M36DR432A120ZA6T拓展信息
STMicroelectronics
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