STMicroelectronics M58BW016BB80T3
- 收藏
- 对比
M58BW016BB80T3
2381-M58BW016BB80T3
连接器,连接线
--
大陆
立即发货

512KX32 FLASH 3V PROM, 80ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80
1最小包装量--
M58BW016BB80T3详情
STMicroelectronics M58BW016BB80T3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
80
RoHS
Non-Compliant
Memory Types
FLASH, NOR
Package Description
PLASTIC, QFP-80
Package Style
FLATPACK
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
QFP80,.7X.9,32
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
80 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
M58BW016BB80T3
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
QFP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
STMicroelectronics
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Risk Rank
5.14
Part Package Code
QFP
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
类型
NOR型号
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
附加功能
底部启动区块
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
80
JESD-30代码
R-PQFP-G80
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
2.5/3.3,3/3.3 V
温度等级
AUTOMOTIVE
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
界面
Parallel
最大电源电压
3.6 V
最小电源电压
2.7 V
内存大小
2 MB
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.03 mA
访问时间
80 ns
数据总线宽度
32 b
组织结构
512KX32
座位高度-最大
3.4 mm
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.000005 A
记忆密度
16777216 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
8,31
行业规模
2K,16K
引导模块
BOTTOM
通用闪存接口
YES
宽度
14 mm
长度
20 mm
M58BW016BB80T3拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics







哦! 它是空的。