STMicroelectronics M59DR008E100ZB6T
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M59DR008E100ZB6T
2381-M59DR008E100ZB6T
连接器,连接线
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512KX16 FLASH 1.8V PROM, 100ns, PBGA48, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
1最小包装量--
M59DR008E100ZB6T详情
STMicroelectronics M59DR008E100ZB6T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
48
Package Description
0.75 MM PITCH, TFBGA-48
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA48,6X8,30
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
100 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
M59DR008E100ZB6T
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
STMicroelectronics
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Risk Rank
5.44
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
EAR99
类型
NOR型号
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
48
JESD-30代码
S-PBGA-B48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.2 V
电源
1.8/2 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.65 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.04 mA
组织结构
512KX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.000005 A
记忆密度
8388608 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
1.8 V
数据轮询
YES
拨动位
YES
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
8,15
行业规模
4K,32K
页面尺寸
4 words
引导模块
BOTTOM
通用闪存接口
YES
宽度
7 mm
长度
7 mm
M59DR008E100ZB6T拓展信息
STMicroelectronics
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