STMicroelectronics MJD45H11T4-A
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MJD45H11T4-A
2381-MJD45H11T4-A
集成电路(IC)
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Complementary Silicon PNP Transistors
1最小包装量--
MJD45H11T4-A详情
STMicroelectronics MJD45H11T4-A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
底架
表面贴装
引脚数
3
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
MJD45H11T4-A
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Part Package Code
TO-252AA
Package Description
ROHS COMPLIANT, TO-252, DPAK-3
Risk Rank
5.62
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
RoHS
Compliant
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
20 W
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
极性
PNP
配置
SINGLE
功率耗散
20 W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
80 V
最大集电极电流
8 A
JEDEC-95代码
TO-252AA
最大耗散功率(Abs)
20 W
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
集电极电流-最大值(IC)
8 A
最小直流增益(hFE)
40
集电极-发射器电压-最大值
80 V
辐射硬化
无
MJD45H11T4-A拓展信息
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