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技术文档
型号
MTP6N60
品牌
STMicroelectronics
utmel 编号
2381-MTP6N60
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB
起订量
--最小包装量--
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MTP6N60详情
技术参数
PDF文档
STMicroelectronics MTP6N60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
TO-220, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Turn-on Time-Max (ton)
93 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Risk Rank
1.26
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
6.8 A
JESD-609代码
e3
无铅代码
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6 A
漏极-源极导通最大电阻
1.2 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
460 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
125 W
反馈上限-最大值 (Crss)
110 pF
环境耗散-最大值
技术文档: STMicroelectronics MTP6N60.
MTP6N60拓展信息
公司资质
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