STMicroelectronics NAND01GR3B2CZA6
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NAND01GR3B2CZA6详情
STMicroelectronics NAND01GR3B2CZA6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
YES
终端数量
63
Package Description
TFBGA,
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
128000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Operating Temperature-Max
85 °C
Manufacturer Part Number
NAND01GR3B2CZA6
Number of Words
134217728 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.28
Part Package Code
BGA
ECCN 代码
3A991.B.1.A
HTS代码
8542.32.00.51
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
63
JESD-30代码
R-PBGA-B63
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
128MX8
座位高度-最大
1.05 mm
内存宽度
8
记忆密度
1073741824 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
1.8 V
宽度
9.5 mm
长度
12 mm
NAND01GR3B2CZA6拓展信息








哦! 它是空的。