STMicroelectronics NAND04GW3B2BN6E

底架

表面贴装

引脚数

48

RoHS

Compliant

Memory Types

NAND

包装

Bulk

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

界面

Parallel

最大电源电压

3.6 V

最小电源电压

2.7 V

内存大小

512 MB

电源电流

30 mA

访问时间

25 µs

数据总线宽度

8 b

地址总线宽度

30 b

密度

4 Gb

同步/异步

Asynchronous

字长

8 b