STMicroelectronics NAND256R4A2AZA6E

表面安装

YES

终端数量

55

Access Time-Max

12000 ns

Ihs Manufacturer

STMICROELECTRONICS

Manufacturer

STMicroelectronics

Manufacturer Part Number

NAND256R4A2AZA6E

Number of Words

16777216 words

Number of Words Code

16000000

Operating Temperature-Max

85 °C

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Code

TFBGA

Package Description

TFBGA, BGA55,8X12,32

Package Equivalence Code

BGA55,8X12,32

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Part Life Cycle Code

Transferred

Part Package Code

BGA

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Risk Rank

5.49

Rohs Code

有

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

JESD-609代码

e1

ECCN 代码

3A991.B.1.A

类型

SLC NAND类型

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8542.32.00.51

子类别

闪存

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

55

JESD-30代码

R-PBGA-B55

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

1.95 V

电源

1.8 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.015 mA

组织结构

16MX16

座位高度-最大

1.05 mm

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.00005 A

记忆密度

268435456 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

FLASH

编程电压

1.8 V

数据轮询

NO

拨动位

NO

命令用户界面

YES

扇区/尺寸数

2K

行业规模

8K

页面尺寸

256 words

准备就绪/忙碌

YES

长度

10 mm

宽度

8 mm