STMicroelectronics NAND512R3A3BZA6E
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NAND512R3A3BZA6E
2381-NAND512R3A3BZA6E
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8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
1最小包装量--
NAND512R3A3BZA6E详情
STMicroelectronics NAND512R3A3BZA6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
63
Package Description
8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
Package Style
网格排列
Number of Words Code
64000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
15000 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
NAND512R3A3BZA6E
Number of Words
67108864 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
BGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
STMicroelectronics
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Risk Rank
5.1
Part Package Code
BGA
ECCN 代码
3A991.B.1.A
类型
SLC NAND类型
HTS代码
8542.32.00.51
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
Reach合规守则
compliant
引脚数量
63
JESD-30代码
R-PBGA-B63
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.65 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
64MX8
内存宽度
8
记忆密度
536870912 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
1.8 V
NAND512R3A3BZA6E拓展信息







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