STMicroelectronics STD845DN40

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

8-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

2

hFEMin

10

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

最大功率耗散

3W

基本部件号

STD845

引脚数量

8

极性

NPN

元素配置

Dual

功率 - 最大

3W

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

2 NPN (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

12 @ 2A 5V

最大集极截止电流

250μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 1A, 4A

集电极基极电压(VCBO)

700V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅