STGB7NC60HD
STGB7NC60HD

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

STMicroelectronics STGB7NC60HD

  • 收藏
  • 对比

型号

STGB7NC60HD

utmel 编号

2381-STGB7NC60HD

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
STGB7NC60HD
STGB7NC60HD STMicroelectronics Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB

请发送询价,我们将立即回复。

库存:90000

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

STGB7NC60HD详情

STMicroelectronics STGB7NC60HD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 2 years ago)

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • RoHS

    Compliant

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 元素配置

    Single

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    600 V

  • 最大集电极电流

    25 A

  • 宽度

    9.35 mm

  • 高度

    4.6 mm

  • 长度

    10.4 mm

0个相似型号

技术文档: STMicroelectronics STGB7NC60HD.

STGB7NC60HD拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS