STP6NA80FI
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STMicroelectronics STP6NA80FI

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型号

STP6NA80FI

utmel 编号

2381-STP6NA80FI

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

3.4A, 800V, 1.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ISOWATT220, 3 PIN

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STP6NA80FI详情

STMicroelectronics STP6NA80FI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    STMICROELECTRONICS

  • Package Description

    ISOWATT220, 3 PIN

  • Drain Current-Max (ID)

    3.4 A

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    1.9 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    23 A

  • DS 击穿电压-最小值

    800 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    165 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    45 W

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技术文档: STMicroelectronics STP6NA80FI.

STP6NA80FI拓展信息

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