STMicroelectronics STP6NA80FI
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STP6NA80FI
2381-STP6NA80FI
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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3.4A, 800V, 1.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ISOWATT220, 3 PIN
1最小包装量--
STP6NA80FI详情
STMicroelectronics STP6NA80FI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Package Description
ISOWATT220, 3 PIN
Drain Current-Max (ID)
3.4 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
1.9 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
23 A
DS 击穿电压-最小值
800 V
雪崩能量等级(Eas)
165 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
45 W
STP6NA80FI拓展信息
Thomson-CSF Compsants Specific
STMicroelectronics
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