STMicroelectronics STB50NH02L
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STB50NH02L
2381-STB50NH02L
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: 50A, 24V, 0.0135ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
1最小包装量--
STB50NH02L详情
STMicroelectronics STB50NH02L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Part Package Code
D2PAK
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Drain Current-Max (ID)
50 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
漏极-源极导通最大电阻
0.0135 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200 A
DS 击穿电压-最小值
24 V
雪崩能量等级(Eas)
200 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
60 W
STB50NH02L拓展信息
Thomson-CSF Compsants Specific
STMicroelectronics
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