STMicroelectronics STS01DTP06
- 收藏
- 对比
STS01DTP06
2381-STS01DTP06
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR
--最小包装量--
STS01DTP06详情
STMicroelectronics STS01DTP06重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1V
Number of Elements
2
hFEMin
100
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
电压 - 额定直流
60V
最大功率耗散
2W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
3A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
STS01
引脚数量
8
资历状况
不合格
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
功率耗散
2W
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 1A 2V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 100mA, 2A
最大击穿电压
30V
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
饱和电流
2A
高度
1.25mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STS01DTP06拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics








哦! 它是空的。