注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
TD352ID
品牌
STMicroelectronics
utmel 编号
2381-TD352ID
商品类别
PMIC - 栅极驱动器
封装
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IC IGBT/MOSFET DRIVER ADV 8-SOIC
起订量
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TD352ID详情
技术参数
PDF文档
型号对比
STMicroelectronics TD352ID重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
包装/外壳
引脚数
8
Driver Configuration
High-Side
Logic voltage-VIL, VIH
0.8V 4.2V
Usage Level
Automotive grade
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最大功率耗散
500mW
电压 - 供电
12V~26V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
16V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
TD352
引脚数量
最大输出电流
1.7A
电源电流
2.5mA
功率耗散
传播延迟
500 ns
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
上升时间
100ns
下降时间(典型值)
100 ns
上升/下降时间(Typ)
100ns 100ns Max
接口IC类型
基于半桥的外设驱动器
信道型
Single
驱动器数量
接通时间
2.2 μs
闸门类型
IGBT, N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
1.3A 1.7A
关断时间
0.4 μs
内置保护器
OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE
输出电流流向
水槽
高度
1.25mm
长度
5mm
宽度
4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
技术文档: STMicroelectronics TD352ID.
右边的3个型号有着和STMicroelectronics & TD352ID相似的参数规格。
1.7 A
16 V
500 mW
Infineon Technologies
9 A
75 ns
-
1.04 W
Microchip Technology
600 mA
130 ns
15 V
625 mW
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:L6384ED013TR
封装:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
品牌:STMicroelectronics
库存:57500
型号:L6387ED
库存:8803
型号:L6388ED013TR
库存:27500
型号:L6386ED
封装:14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
库存:3303
型号:L6398DTR
库存:3500
型号:L6388ED
库存:0
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