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TPI12011N
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STMicroelectronics TPI12011N

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型号

TPI12011N

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-TPI12011N

商品类别

TVS - 晶闸管

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

THYRISTOR 30A 8SOIC

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TPI12011N
TPI12011N STMicroelectronics THYRISTOR 30A 8SOIC

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TPI12011N详情

技术参数

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STMicroelectronics TPI12011N重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 质量

    80.002354mg

  • Breakdown Voltage / V

    120V

  • Number of Elements

    1

  • Reverse Stand-off Voltage

    105V

  • 包装

    Tube

  • 系列

    TPI

  • JESD-609代码

    e0

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电容量

    150pF

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 引脚数量

    8

  • 工作电源电压

    105V

  • 配置

    DELTA CONNECTED, 3 ELEMENTS

  • 通道数量

    4

  • 泄漏电流

    10nA

  • 最大反向漏电电流

    10μA

  • 峰值脉冲电流

    90A

  • 最大浪涌电流

    30A

  • 方向

    双向

  • 测试电流

    1mA

  • 反向击穿电压

    120V

  • 保持电流

    150mA

  • 触发装置类型

    硅电涌保护器

  • 非重复Pk在态电流

    8 A

  • 电压 - 导通

    160V

  • 最小击穿电压

    120V

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: STMicroelectronics TPI12011N.

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公司资质

ISO13485
AS
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