STMicroelectronics VNN3NV04TR-E

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

Turn Off Delay Time

1.35 μs

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OMNIFET II™, VIPower™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

电阻

120mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

最大功率耗散

7W

基本部件号

VNN3NV

输出的数量

1

输出类型

N-Channel

最大输出电流

5A

界面

On/Off

电源电流

1.5A

输出配置

低侧

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

7W

输出电流

3.5A

电压 - 供电 (Vcc/Vdd)

不需要

最大电源电流

100μA

输入类型

Non-Inverting

接通延迟时间

300 ns

开关类型

通用型

每个通道的输出电流

3.5A

上升时间

250ns

下降时间（典型值）

250 ns

连续放电电流(ID)

3.5A

比率-输入：输出

1:1

电压-负荷

36V Max

故障保护

Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage

漏源击穿电压

40V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Rds On(Typ)

120m Ω (Max)

漏源电阻

120mOhm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅