STMicroelectronics VNS3NV04DPTR-E
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VNS3NV04DPTR-E
2381-VNS3NV04DPTR-E
PMIC - 配电开关,负载驱动器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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VNS3NV04DP Series 5 A OMNIFET II Fully Autoprotected Power Mosfet - SOIC-8
--最小包装量--
VNS3NV04DPTR-E详情
STMicroelectronics VNS3NV04DPTR-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
18 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OMNIFET II™, VIPower™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
120mOhm
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
2
基本部件号
VNS3N
引脚数量
8
输出的数量
2
输出电压
40V
输出类型
N-Channel
最大输出电流
5A
电压
40V
界面
On/Off
电源电流
100μA
电流
3.5A
输出配置
低侧
输出电流
3.5A
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
不需要
输入类型
Non-Inverting
开关类型
通用型
每个通道的输出电流
3.5A
比率-输入:输出
1:1
电压-负荷
36V Max
故障保护
Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
接通时间
1.35 µs
输出峰值电流限制-名
5A
Rds On(Typ)
120m Ω (Max)
最大结点温度(Tj)
150°C
关断时间
10 µs
内置保护器
THERMAL; OVER VOLTAGE
通态电阻
120mOhm
高度
1.75mm
长度
5mm
宽度
4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
VNS3NV04DPTR-E拓展信息
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