STMicroelectronics VNS1NV04D-E
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VNS1NV04D-E
2381-VNS1NV04D-E
PMIC - 配电开关,负载驱动器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
--最小包装量--
VNS1NV04D-E详情
STMicroelectronics VNS1NV04D-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Turn Off Delay Time
350 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
OMNIFET II™, VIPower™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
40V
最大功率耗散
4W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
2
电源电压
5V
额定电流
1.7A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
VNS1N
引脚数量
8
输出的数量
2
输出类型
N-Channel
最大输出电流
1.7A
界面
On/Off
元素配置
Single
输出配置
低侧
功率耗散
4W
输出电流
2.6A
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
不需要
输入类型
Non-Inverting
开关类型
通用型
上升时间
170ns
漏源电压 (Vdss)
40V
下降时间(典型值)
200 ns
连续放电电流(ID)
500mA
比率-输入:输出
1:1
栅极至源极电压(Vgs)
8V
电压-负荷
36V Max
故障保护
Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
漏源击穿电压
40V
Rds On(Typ)
250m Ω (Max)
漏源电阻
250mOhm
关断时间
1 μs
内置保护器
TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
长度
4.9mm
座位高度(最大)
1.75mm
宽度
3.9mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
VNS1NV04D-E拓展信息
STMicroelectronics
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