注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd SSF1221J2

Name: SSF1221J2
Brand: Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
SKU: 1475-SSF1221J2
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

SSF1221J2

品牌

Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd

utmel 编号

1475-SSF1221J2

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 12V, 0.016ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DFN2X2-6L, 6 PIN

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

SSF1221J2 Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 12V, 0.016ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DFN2X2-6L, 6 PIN

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

SSF1221J2详情

技术参数

PDF文档

Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd SSF1221J2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

6
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

GOOD-ARK ELECTRONICS CO LTD
Package Description

SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6
Drain Current-Max (ID)

12 A
Number of Elements

1
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

SQUARE
Package Style

小概要
ECCN 代码

EAR99
附加功能

超低电阻
端子位置

DUAL
终端形式

无铅
Reach合规守则

compliant
JESD-30代码

S-PDSO-N6
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.016 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

28 A
DS 击穿电压-最小值

12 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0个相似型号

技术文档: Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd SSF1221J2.

数据表 :
0b74a03c25658f2cae5c30af41b0933f.pdf

SSF1221J2拓展信息

热销零件