Taiwan Semiconductor 5.0SMDJ30AR7G

表面安装

YES

包装/外壳

DO-214AB-2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

5.0SMDJ30AR7G

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD

Package Description

R-PDSO-C2

Risk Rank

5.68

Breakdown Voltage-Nom

35.05 V

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Power Dissipation (Max)

6.25 W

Supplier Package

DO-214AB

Peak Pulse Power Dissipation

5000 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

表面贴装

Cd - Diode Capacitance

-

Breakdown Voltage / V

33.3 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.009065 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1700

Ipp - Peak Pulse Current

103 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

5 kW

Brand

台湾半导体

RoHS

Details

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

操作温度

-55 to 175 °C

系列

5.0SMDJ30A

包装

切割胶带

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

出色的夹持能力

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-C2

工作电压

30 V

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箝位电压

48.4 V

测试电流

1 mA

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

30 V

JEDEC-95代码

DO-214AB

最大非代表峰值转速功率Dis

5000 W

ESD保护

无

击穿电压-最小值

33.3 V

最大箝位电压

48.4 V

击穿电压-最大值

36.8 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes