BC337-25 A1
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Taiwan Semiconductor BC337-25 A1

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型号

BC337-25 A1

utmel 编号

2436-BC337-25 A1

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

1210 (3225 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN 45V 0.8A TO92

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BC337-25 A1
BC337-25 A1 Taiwan Semiconductor TRANS NPN 45V 0.8A TO92

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BC337-25 A1详情

Taiwan Semiconductor BC337-25 A1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    1210 (3225 Metric)

  • 安装类型

    通孔

  • 供应商器件包装

    1210

  • Package

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

  • Base Product Number

    RN73H2E

  • 厂商

    KOA Speer Electronics, Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    800 mA

  • Number of Elements per Chip

    1

  • Dimensions

    5.1 x 4.1 x 4.7mm

  • Package Type

    TO-92

  • Maximum Operating Temperature

    +150 °C

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    45 V

  • Maximum DC Collector Current

    800 mA

  • Minimum DC Current Gain

    160

  • Emitter- Base Voltage VEBO

    5 V

  • Pd - Power Dissipation

    625 mW

  • Transistor Polarity

    NPN

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    700 mV

  • Unit Weight

    0.015873 oz

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    4000

  • Mounting Styles

    通孔

  • Gain Bandwidth Product fT

    100 MHz

  • Manufacturer

    台湾半导体

  • Brand

    台湾半导体

  • RoHS

    Details

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    45 V

  • Package Description

    ,

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BC337-25A1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD

  • Risk Rank

    5.57

  • 操作温度

    -55°C ~ 155°C

  • 系列

    RN73H

  • 包装

    弹药包

  • 尺寸/尺寸

    0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

  • 容差

    ±0.5%

  • 终止次数

    2

  • 温度系数

    ±100ppm/°C

  • 电阻

    7.23 kOhms

  • 组成

    Metal Film

  • 功率(瓦特)

    0.25W, 1/4W

  • 子类别

    Transistors

  • 技术

    Si

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • 失败率

    -

  • 配置

    Single

  • 功率 - 最大

    625 mW

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors

  • 晶体管类型

    NPN

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    160 @ 100mA, 5V

  • 最大集极截止电流

    100nA (ICBO)

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    700mV @ 50mA, 500mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    45 V

  • 频率转换

    100MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    50 V

  • 特征

    Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - BJT

  • 座位高度(最大)

    0.028 (0.70mm)

  • 评级结果

    AEC-Q200

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