参数名
参数值
参数名
参数值
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
324-LFBGA, CSPBGA
供应商器件包装
324-CSPBGA (15x15)
Number of I/Os
226
Package
Tray
Base Product Number
XC6SLX25
厂商
AMD
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
800 mA
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
RoHS
Compliant
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
5.1 x 4.1 x 4.7mm
Package Type
TO-92
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Collector Emitter Voltage
25 V
Maximum DC Collector Current
800 mA
Minimum DC Current Gain
160
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Pd - Power Dissipation
625 mW
Transistor Polarity
NPN
Collector-Emitter Saturation Voltage
700 mV
Unit Weight
0.016000 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
4000
Mounting Styles
通孔
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Manufacturer
台湾半导体
Brand
台湾半导体
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
25 V
操作温度
-40°C ~ 100°C (TJ)
系列
Spartan®-6 LX
包装
弹药包
子类别
Transistors
技术
Si
电压 - 供电
1.14V ~ 1.26V
引脚数量
3
极性
NPN
配置
Single
功率 - 最大
625 mW
逻辑元件/单元数
24051
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
160 @ 100mA, 5V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 50mA, 500mA
总 RAM 位数
958464
电压 - 集射极击穿(最大值)
25 V
LABs数量/ CLBs数量
1879
频率转换
100MHz
集电极基极电压(VCBO)
30 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT