参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件包装
TO-92
Risk Rank
5.6
Package Description
,
Ihs Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Part Life Cycle Code
活跃
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BC550BA1
Package
Tape & Box (TB)
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
厂商
Taiwan Semiconductor Corporation
Product Status
Obsolete
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Pd - Power Dissipation
500 mW
Transistor Polarity
NPN
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Collector-Emitter Saturation Voltage
-
Unit Weight
0.016000 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
4000
Mounting Styles
通孔
Gain Bandwidth Product fT
-
Brand
台湾半导体
Maximum DC Collector Current
100 mA
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
45 V
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
弹药包
子类别
Transistors
技术
Si
Reach合规守则
compliant
配置
Single
功率 - 最大
500 mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
最大集极截止电流
15nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
45 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
50 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT